TLC NAND

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TLC NAND(語源:Triple Level Cell)とは、NAND型フラッシュメモリのうち、1つのセルで3ビットを表現するもののことである。

概要[編集]

TLC NANDは1セルで3ビットものデータを保持できる。コンピューターの基本として1ビット増えるごとにデータ量は2倍になるので、1セル2ビットのMLC NANDの2倍、1セル1ビットのSLC NANDの4倍ものデータ量を保持できる。

ただし浮遊ゲートにある電子の蓄積量、つまり電荷の量であり、単純なオンオフで表せるSLCのように単純ではなく、どうしても壊れやすい製品になってしまう。しかしながら2015年時点では総書込保証(TBW)が220TB程度まで向上しており、よほど特殊な環境でなければ問題になることはなくなった。

関連項目[編集]

参考文献[編集]