「NAND型フラッシュメモリ」を編集中


'''NAND型フラッシュメモリ'''とは、不揮発性の[[半導体メモリ]]の一種で、電源を切っても[[データ]]を保持できる記憶装置です。

1986年に東芝の舛岡富士雄氏が発明し、主に[[SSD]]や[[USBメモリ]]、[[メモリーカード]]など大容量の[[ストレージ]]に使われています。[[NOR型フラッシュメモリ]]に次いで考案された方式で、NOR型と異なりNAND型ではメモリセルが直列に接続され、[[NAND論理回路]]の動作原理に基づく設計となっています。

== 特徴 ==
* メモリセルの配線が直列であるため、回路構造が小規模かつ高集積化が可能。
* 大容量を安価に製造でき、書き込みや消去が高速であるが、読み出しはNOR型に比べて遅く、ランダムアクセスは苦手。
* データの読み書きは「ページ単位」、データの消去は「ブロック単位」で行われる。
* 書き換え時には一旦ブロック全体を消去し再書き込みするため、書き換え寿命がNOR型より短い。
* フラッシュメモリとして市場で主流であり、多くのSSDやスマホのストレージに使われている。
* 3D NANDなど垂直積層技術の進展でさらに大容量化が進んでいる。

== 仕組み ==
NAND型フラッシュメモリのメモリセルは、トンネル酸化膜を挟んだポリシリコン製の浮遊ゲートに電子を蓄え、電源なしでも数年単位でデータを保持できる。電子の蓄積・放出によってデジタル信号を記録し、書き込みや消去が行われるが、この過程で膜が劣化し寿命に関わる。

== 用途 ==
主に[[スマートフォン]]や[[カメラ]]、[[パソコン]]の[[SSD]]、[[USBメモリ]]、[[メモリーカード]]など、容量が大きくコストを抑えたい記憶装置に使われている。

== 関連項目 ==
* [[フラッシュメモリ]]
* [[NOR型フラッシュメモリ]]
* [[SSD]]
* [[USBメモリ]]

[[category: NAND型フラッシュメモリ]]
[[category: フラッシュメモリ]]
[[category: メモリ]]