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	<title>NAND型フラッシュメモリ - 版の履歴</title>
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		<title>2025年9月17日 (水) 09:43にAdministratorによる</title>
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		<author><name>Administrator</name></author>
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		<id>https://monobook.org/w/index.php?title=NAND%E5%9E%8B%E3%83%95%E3%83%A9%E3%83%83%E3%82%B7%E3%83%A5%E3%83%A1%E3%83%A2%E3%83%AA&amp;diff=28801&amp;oldid=prev</id>
		<title>Administrator: ページの作成:「 &#039;&#039;&#039;NAND型フラッシュメモリ&#039;&#039;&#039;とは、不揮発性の半導体メモリの一種で、電源を切ってもデータを保持できる記憶装置です。  1986年に東芝の舛岡富士雄氏が発明し、主にSSDやUSBメモリ、メモリーカードなど大容量のストレージに使われています。NOR型フラッシュメモリに次いで考案された方式で、NOR型と異なりNAND型ではメモリセル…」</title>
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		<updated>2025-09-17T09:42:46Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;ページの作成:「 &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;NAND型フラッシュメモリ&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;とは、不揮発性の&lt;a href=&quot;/wiki/%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E4%BD%93%E3%83%A1%E3%83%A2%E3%83%AA&quot; title=&quot;半導体メモリ&quot;&gt;半導体メモリ&lt;/a&gt;の一種で、電源を切っても&lt;a href=&quot;/wiki/%E3%83%87%E3%83%BC%E3%82%BF&quot; title=&quot;データ&quot;&gt;データ&lt;/a&gt;を保持できる記憶装置です。  1986年に東芝の舛岡富士雄氏が発明し、主に&lt;a href=&quot;/wiki/SSD&quot; title=&quot;SSD&quot;&gt;SSD&lt;/a&gt;やU&lt;a href=&quot;/w/index.php?title=SB%E3%83%A1%E3%83%A2%E3%83%AA&amp;amp;action=edit&amp;amp;redlink=1&quot; class=&quot;new&quot; title=&quot;「SBメモリ」 (存在しないページ)&quot;&gt;SBメモリ&lt;/a&gt;、&lt;a href=&quot;/w/index.php?title=%E3%83%A1%E3%83%A2%E3%83%AA%E3%83%BC%E3%82%AB%E3%83%BC%E3%83%89&amp;amp;action=edit&amp;amp;redlink=1&quot; class=&quot;new&quot; title=&quot;「メモリーカード」 (存在しないページ)&quot;&gt;メモリーカード&lt;/a&gt;など大容量の&lt;a href=&quot;/wiki/%E3%82%B9%E3%83%88%E3%83%AC%E3%83%BC%E3%82%B8&quot; title=&quot;ストレージ&quot;&gt;ストレージ&lt;/a&gt;に使われています。&lt;a href=&quot;/wiki/NOR%E5%9E%8B%E3%83%95%E3%83%A9%E3%83%83%E3%82%B7%E3%83%A5%E3%83%A1%E3%83%A2%E3%83%AA&quot; title=&quot;NOR型フラッシュメモリ&quot;&gt;NOR型フラッシュメモリ&lt;/a&gt;に次いで考案された方式で、NOR型と異なりNAND型ではメモリセル…」&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;新規ページ&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;&lt;br /&gt;
&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;NAND型フラッシュメモリ&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;とは、不揮発性の[[半導体メモリ]]の一種で、電源を切っても[[データ]]を保持できる記憶装置です。&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
1986年に東芝の舛岡富士雄氏が発明し、主に[[SSD]]やU[[SBメモリ]]、[[メモリーカード]]など大容量の[[ストレージ]]に使われています。[[NOR型フラッシュメモリ]]に次いで考案された方式で、NOR型と異なりNAND型ではメモリセルが直列に接続され、[[NAND論理回路]]の動作原理に基づく設計となっています。&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== 特徴 ==&lt;br /&gt;
* メモリセルの配線が直列であるため、回路構造が小規模かつ高集積化が可能。&lt;br /&gt;
* 大容量を安価に製造でき、書き込みや消去が高速であるが、読み出しはNOR型に比べて遅く、ランダムアクセスは苦手。&lt;br /&gt;
* データの読み書きは「ページ単位」、データの消去は「ブロック単位」で行われる。&lt;br /&gt;
* 書き換え時には一旦ブロック全体を消去し再書き込みするため、書き換え寿命がNOR型より短い。&lt;br /&gt;
* フラッシュメモリとして市場で主流であり、多くのSSDやスマホのストレージに使われている。&lt;br /&gt;
* 3D NANDなど垂直積層技術の進展でさらに大容量化が進んでいる。&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== 仕組み ==&lt;br /&gt;
NAND型フラッシュメモリのメモリセルは、トンネル酸化膜を挟んだポリシリコン製の浮遊ゲートに電子を蓄え、電源なしでも数年単位でデータを保持できる。電子の蓄積・放出によってデジタル信号を記録し、書き込みや消去が行われるが、この過程で膜が劣化し寿命に関わる。&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== 用途 ==&lt;br /&gt;
主に[[スマートフォン]]や[[カメラ]]、[[パソコン]]の[[SSD]]、[[USBメモリ]]、[[メモリーカード]]など、容量が大きくコストを抑えたい記憶装置に使われている。&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== 関連項目 ==&lt;br /&gt;
* [[フラッシュメモリ]]&lt;br /&gt;
* [[NOR型フラッシュメモリ]]&lt;br /&gt;
* [[SSD]]&lt;br /&gt;
* [[USBメモリ]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[category: NAND型フラッシュメモリ]]&lt;br /&gt;
[[category: フラッシュメモリ]]&lt;br /&gt;
[[category: メモリ]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Administrator</name></author>
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