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「QLC NAND型フラッシュメモリ」の変更履歴
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2026年1月8日 (木) 01:52
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QLC
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QLC NAND型フラッシュメモリ
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2026年1月8日 (木) 01:52
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2026年1月8日 (木) 01:49
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ページの作成:「'''QLC NAND型フラッシュメモリ'''(Quad Level Cell)とは、1つのメモリセルに4ビットのデータ(16段階の電荷レベル)を記録できるNAND型フラッシュメモリのことです。 == 耐久性が低い == 記録密度が非常に高く、大容量化と低コスト化を実現しますが、書き込み速度の低下と書き換え寿命(耐久性)が短くなる特性を持ち、主に読み出し中心の用途や大容…」