「TLC NAND型フラッシュメモリ」の版間の差分
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2026年1月8日 (木) 01:53時点における最新版
TLC NAND（語源：Triple Level Cell）とは、NAND型フラッシュメモリのうち、1つのセルで３ビットを表現するもののことです。
概要[編集 | ソースを編集]
TLC NANDは１セルで３ビットものデータを保持できます。コンピューターの基本として１ビット増えるごとにデータ量は２倍になるので、TLC NANDでは1セル２ビットのMLC NANDの2倍、1セル1ビットのSLC NANDの4倍ものデータ量を保持できます。
ただし浮遊ゲートにある電子の蓄積量、つまり電荷の量であり、単純なオンオフで表せるSLCのように単純ではなく、どうしても壊れやすい製品になってしまいます。
しかしながら2015年時点では総書込保証（TBW）が220TB程度まで向上しており、よほど特殊な環境でなければ問題になることはなくなりました。それをうけてTLC NANDを採用したSSDは2015年の年末商戦に一斉に発売しました。