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[[SSD]]で有名な「[[NAND型フラッシュメモリ]]」と比べNOR型フラッシュメモリは「高耐久」だが「低容量」という特徴があります。
[[SSD]]で有名な「[[NAND型フラッシュメモリ]]」と比べNOR型フラッシュメモリは「高耐久」だが「低容量」という特徴があります。


主に[[パソコン]]の[[BIOS]]や組込機器の[[ファームウェア]]などの格納に利用されています。
<amazon> NOR フラッシュメモリ </amazon>
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主に[[パソコン]]の[[BIOS]]や組込機器の[[ファームウェア]]などの格納に利用されています。身近なところでは[[プレイステーション]]および[[プレイステーション2]]のメモリカードに採用されていた方式です。
 
 
== 特徴 ==
=== 読み出し速度が高速 ===
メモリセルが並列に接続されているため、特定のアドレスのデータをピンポイントで直接かつ高速に読み出すことができます。
 
=== 書き込み速度は低速 ===
読み出しは高速ですが、データの書き込みや消去にかかる時間はNAND型に比べて遅いという特徴があります。


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=== 直接プログラム実行が可能 ===
読み出し速度が速く、かつ1バイト単位での読み出しが可能なため、メインメモリ（RAM）にデータを移すことなく、マイコンやCPUから直にプログラムを読み出して実行できます。これにより「ファミコンのカセット」みたいに扱うことができます。一部の界隈ではプレイステーション2のメモリカードに自作プログラムを入れて起動するという遊びも流行っています。
 
=== 高い信頼性と長寿命 ===
ブロックサイズが小さく、同等の書き換え頻度であれば素子が長持ちし、高い信頼性を誇ります。電気を通さなくても20年くらいはデータが消えないと言われています。
 
=== 大容量化が難しく高コスト ===
メモリセルを並列に並べる構造上、配線やコンタクトが多くなり、チップ面積が大きくなります。そのため大容量化には不向きで、ビット単価は高くなります。


<rakuten> NOR フラッシュメモリ </rakuten>


[[category: フラッシュメモリ]]
[[category: フラッシュメモリ]]

2026年5月15日 (金) 10:50時点における最新版

NOR型フラッシュメモリとは、記憶セル（MOSFET）が電源ラインと並列（NOR論理）に接続された構造を持つ不揮発性半導体メモリ（フラッシュメモリ）です。

SSDで有名な「NAND型フラッシュメモリ」と比べNOR型フラッシュメモリは「高耐久」だが「低容量」という特徴があります。

主にパソコンのBIOSや組込機器のファームウェアなどの格納に利用されています。身近なところではプレイステーションおよびプレイステーション2のメモリカードに採用されていた方式です。


特徴[編集 | ソースを編集]

読み出し速度が高速[編集 | ソースを編集]

メモリセルが並列に接続されているため、特定のアドレスのデータをピンポイントで直接かつ高速に読み出すことができます。

書き込み速度は低速[編集 | ソースを編集]

読み出しは高速ですが、データの書き込みや消去にかかる時間はNAND型に比べて遅いという特徴があります。

直接プログラム実行が可能[編集 | ソースを編集]

読み出し速度が速く、かつ1バイト単位での読み出しが可能なため、メインメモリ（RAM）にデータを移すことなく、マイコンやCPUから直にプログラムを読み出して実行できます。これにより「ファミコンのカセット」みたいに扱うことができます。一部の界隈ではプレイステーション2のメモリカードに自作プログラムを入れて起動するという遊びも流行っています。

高い信頼性と長寿命[編集 | ソースを編集]

ブロックサイズが小さく、同等の書き換え頻度であれば素子が長持ちし、高い信頼性を誇ります。電気を通さなくても20年くらいはデータが消えないと言われています。

大容量化が難しく高コスト[編集 | ソースを編集]

メモリセルを並列に並べる構造上、配線やコンタクトが多くなり、チップ面積が大きくなります。そのため大容量化には不向きで、ビット単価は高くなります。

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