「TLC NAND型フラッシュメモリ」の版間の差分

'''TLC NAND'''（語源：Triple Level Cell）とは、[[NAND型フラッシュメモリ]]のうち、1つのセルで３[[ビット]]を表現するもののことである。

TLC NANDは１セルで３[[ビット]]もの[[データ]]を保持できる。[[コンピューター]]の基本として１[[ビット]]増えるごとにデータ量は２倍になるので、1セル２ビットの[[MLC NAND]]の2倍、1セル1ビットの[[SLC NAND]]の4倍ものデータ量を保持できる。

ただし浮遊ゲートにある[[電子]]の蓄積量、つまり[[電荷]]の量であり、単純なオンオフで表せる[[SLC]]のように単純ではなく、どうしても壊れやすい製品になってしまう。しかしながら2015年時点では総書込保証（[[TBW]]）が220TB程度まで向上しており、よほど特殊な環境でなければ問題になることはなくなった。