ショットキーバリアダイオード

ショットキーバリアダイオード（Schottky Barrier Diode、SBD）は、ショットキーさんが発明した金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードです。

一般的なダイオードがP型半導体とN型半導体のPN接合で構成されるのに対し、ショットキーバリアダイオードは金属と半導体（主にn型半導体）の接合を用いています。

特徴

• 順方向電圧（VF）が低い。シリコンPN接合ダイオードのVFは約0.6～0.7Vだが、ショットキーバリアダイオードは約0.15～0.45Vと低い。
• 逆回復時間（trr）が非常に短く、高速スイッチングが可能。
• 逆方向電流（IR）が大きい。特に高温時に増加しやすく、熱暴走に注意が必要。
• 高耐圧品は少なく、主に40V～100V程度までの製品が中心。

主な用途

電源回路の2次側整流

ライバックコンバータ、フォワードコンバータ、プッシュプルコンバータ、ハーフブリッジ・フルブリッジコンバータなどのスイッチング電源回路で、2次側整流用として多用される。

逆流防止回路

2系統の電源供給を持つ回路などでどちらから電源供給されても逆流防止に使われたりします。 たとえばバッテリーラインや電源ラインの逆流防止、逆接続防止などに使用される。

電圧クランプ・IC保護

LSIやICの負電圧保護、電圧監視回路などで、端子を保護する目的で用いられる。

低電圧DC/DCコンバータ

順方向電圧降下が小さいため、低損失の整流素子としてDC/DCコンバータ回路に適している。

注意点

• 逆方向電流が大きいため、常時逆電圧がかかる用途や高温環境下では熱暴走に注意し、放熱設計や素子選定が重要となる。
• 高耐圧が必要な用途には適さない。