「TLC NAND」を編集中
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| − | '''TLC NAND'''（語源：Triple Level Cell）とは、[[NAND型フラッシュメモリ]]のうち、1つのセルで３[[ビット]] | + | '''TLC NAND'''（語源：Triple Level Cell）とは、[[NAND型フラッシュメモリ]]のうち、1つのセルで３[[ビット]]を表現するもののことである。 |
==概要== | ==概要== | ||
| − | TLC NANDは１セルで３[[ビット]]もの[[データ]] | + | TLC NANDは１セルで３[[ビット]]もの[[データ]]を保持できる。[[コンピューター]]の基本として１[[ビット]]増えるごとにデータ量は２倍になるので、1セル２ビットの[[MLC NAND]]の2倍、1セル1ビットの[[SLC NAND]]の4倍ものデータ量を保持できる。 |
| − | ただし浮遊ゲートにある[[電子]]の蓄積量、つまり[[電荷]]の量であり、単純なオンオフで表せる[[SLC]] | + | ただし浮遊ゲートにある[[電子]]の蓄積量、つまり[[電荷]]の量であり、単純なオンオフで表せる[[SLC]]のように単純ではなく、どうしても壊れやすい製品になってしまう。しかしながら2015年時点では総書込保証（[[TBW]]）が220TB程度まで向上しており、よほど特殊な環境でなければ問題になることはなくなった。 |
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==関連項目== | ==関連項目== | ||
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** [[MLC NAND]] | ** [[MLC NAND]] | ||
** [[TLC NAND]] | ** [[TLC NAND]] | ||
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