「TLC NAND型フラッシュメモリ」の版間の差分

2024年5月14日 (火) 01:16時点における版

TLC NAND（語源：Triple Level Cell）とは、NAND型フラッシュメモリのうち、1つのセルで３ビットを表現するもののことです。

概要

TLC NANDは１セルで３ビットものデータを保持できます。コンピューターの基本として１ビット増えるごとにデータ量は２倍になるので、TLC NANDでは1セル２ビットのMLC NANDの2倍、1セル1ビットのSLC NANDの4倍ものデータ量を保持できます。

ただし浮遊ゲートにある電子の蓄積量、つまり電荷の量であり、単純なオンオフで表せるSLCのように単純ではなく、どうしても壊れやすい製品になってしまいます。

しかしながら2015年時点では総書込保証（TBW）が220TB程度まで向上しており、よほど特殊な環境でなければ問題になることはなくなりました。それをうけてTLC NANDを採用したSSDは2015年の年末商戦に一斉に発売しました。

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-'''TLC NAND'''（語源：Triple Level Cell）とは、[[NAND型フラッシュメモリ]]のうち、1つのセルで３[[ビット]]を表現するもののことである。
+'''TLC NAND'''（語源：Triple Level Cell）とは、[[NAND型フラッシュメモリ]]のうち、1つのセルで３[[ビット]]を表現するもののことです。
 ==概要==
-TLC NANDは１セルで３[[ビット]]もの[[データ]]を保持できる。[[コンピューター]]の基本として１[[ビット]]増えるごとにデータ量は２倍になるので、1セル２ビットの[[MLC NAND]]の2倍、1セル1ビットの[[SLC NAND]]の4倍ものデータ量を保持できる。
+TLC NANDは１セルで３[[ビット]]もの[[データ]]を保持できます。[[コンピューター]]の基本として１[[ビット]]増えるごとにデータ量は２倍になるので、TLC NANDでは1セル２ビットの[[MLC NAND]]の2倍、1セル1ビットの[[SLC NAND]]の4倍ものデータ量を保持できます。
-ただし浮遊ゲートにある[[電子]]の蓄積量、つまり[[電荷]]の量であり、単純なオンオフで表せる[[SLC]]のように単純ではなく、どうしても壊れやすい製品になってしまう。しかしながら2015年時点では総書込保証（[[TBW]]）が220TB程度まで向上しており、よほど特殊な環境でなければ問題になることはなくなった。
+ただし浮遊ゲートにある[[電子]]の蓄積量、つまり[[電荷]]の量であり、単純なオンオフで表せる[[SLC]]のように単純ではなく、どうしても壊れやすい製品になってしまいます。
+しかしながら2015年時点では総書込保証（[[TBW]]）が220TB程度まで向上しており、よほど特殊な環境でなければ問題になることはなくなりました。それをうけてTLC NANDを採用したSSDは2015年の年末商戦に一斉に発売しました。
 ==関連項目==
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 ** [[MLC NAND]]
 ** [[TLC NAND]]
+** [[pSLC]]
-==参考文献==
-{{reflist}}
-{{stub}}