NAND型フラッシュメモリ
NAND型フラッシュメモリとは、不揮発性の半導体メモリの一種で、電源を切ってもデータを保持できる記憶装置です。
1986年に東芝の舛岡富士雄氏が発明し、主にSSDやUSBメモリ、メモリーカードなど大容量のストレージに使われています。NOR型フラッシュメモリに次いで考案された方式で、NOR型と異なりNAND型ではメモリセルが直列に接続され、NAND論理回路の動作原理に基づく設計となっています。
特徴[編集 | ソースを編集]
- メモリセルの配線が直列であるため、回路構造が小規模かつ高集積化が可能。
- 大容量を安価に製造でき、書き込みや消去が高速であるが、読み出しはNOR型に比べて遅く、ランダムアクセスは苦手。
- データの読み書きは「ページ単位」、データの消去は「ブロック単位」で行われる。
- 書き換え時には一旦ブロック全体を消去し再書き込みするため、書き換え寿命がNOR型より短い。
- フラッシュメモリとして市場で主流であり、多くのSSDやスマホのストレージに使われている。
- 3D NANDなど垂直積層技術の進展でさらに大容量化が進んでいる。
仕組み[編集 | ソースを編集]
NAND型フラッシュメモリのメモリセルは、トンネル酸化膜を挟んだポリシリコン製の浮遊ゲートに電子を蓄え、電源なしでも数年単位でデータを保持できる。電子の蓄積・放出によってデジタル信号を記録し、書き込みや消去が行われるが、この過程で膜が劣化し寿命に関わる。
用途[編集 | ソースを編集]
主にスマートフォンやカメラ、パソコンのSSD、USBメモリ、メモリーカードなど、容量が大きくコストを抑えたい記憶装置に使われている。