== 耐久性が高い ==
pSLCではディスク容量は犠牲になるが、SLCに近い性能と信頼性を得ることができます。
フラッシュメモリにおける[[データ]]の上書き処理は「消去してから書き込み」という手順で行われます。
メモリセルの[[データ]]の上書き処理は「消去した後に書き込み」という手順で行われます。
このためTLCでは1つのセルに3ビットのデータを保存するため、わずか1ビットを書き換える場合にも複数のセルをまとめて操作する必要があります。この複雑な操作は、セルの劣化を促進し、耐久性を低下させます。
