差分

'''TLC NAND'''（語源：Triple Level Cell）とは、[[NAND型フラッシュメモリ]]のうち、1つのセルで３[[ビット]]を表現するもののことである。を表現するもののことです。

TLC NANDは１セルで３[[ビット]]もの[[データ]]を保持できる。を保持できます。[[コンピューター]]の基本として１[[ビット]]増えるごとにデータ量は２倍になるので、1セル２ビットの増えるごとにデータ量は２倍になるので、TLC NANDでは1セル２ビットの[[MLC NAND]]の2倍、1セル1ビットの[[SLC NAND]]の4倍ものデータ量を保持できる。の4倍ものデータ量を保持できます。

ただし浮遊ゲートにある[[電子]]の蓄積量、つまり[[電荷]]の量であり、単純なオンオフで表せる[[SLC]]のように単純ではなく、どうしても壊れやすい製品になってしまう。しかしながら2015年時点では総書込保証（のように単純ではなく、どうしても壊れやすい製品になってしまいます。 しかしながら2015年時点では総書込保証（[[TBW]]）が220TB程度まで向上しており、よほど特殊な環境でなければ問題になることはなくなった。）が220TB程度まで向上しており、よほど特殊な環境でなければ問題になることはなくなりました。それをうけてTLC NANDを採用したSSDは2015年の年末商戦に一斉に発売しました。

 ==参考文献=={{reflist}} {{stub}}** [[pSLC]]